1999年

华光光电正式成立，并承担国家重大关 键技术项目研究。

2002年

国家产业化前期重大关键技术项目“半导体发光器件外延工艺及管芯技术四项子课题”通过国家技术鉴定验收，《科学时报》进行了题为《中国半导体光电子器件有了“中国心”》的报道。

2003年

650nm芯片成功实现量产。

2006年

获批山东省光电子工程技术研究中心；808nm  200~300mW器件封装生产线建成并量产。

2009年

“高功率808nm非对称无铝应变量子阱激光器”成果经鉴定达到国际先进水平，拓展了医疗健康、夜视照明等方面的应用；获批山东省半导体激光器技术重点实验室。

2008年

3W光纤耦合模组研发成功并迅速实现规模化生产。

2015年

500W微通道叠阵激光器研发成功；808nm激光器达到月产销500万只能力，并连续10年产销规模稳居国内第一位。

2018年

808nm 10W器件研发成功并推向市场；940nm 500W巴条器件研发成功；808nm激光器被认定为山东省“单项冠军”产品。

2020年

808nm巴条输出功率达到215W；获批“国家企业技术中心”。

2019年

1600W宏通道叠阵产品、4kW传导冷却叠阵产品实现技术突破。

2021年

808/878nm器件单芯片输出功率达到15W，实现了120W光纤耦合锁波长模组的研发；5kW传导冷却叠阵模组实现技术突破，实现远距离测距的应用；制定《工业用光纤激光器参数要求和测试方法》（IEEE P2065）国际激光标准。

2022年

开发808nm 500W巴条；915/976nm激光器单芯片输出功率达到35W；790nm激光器单光束产品实现技术突破；“高功率高可靠性808nm激光器关键技术及产业化”等3项技术成果被评价为国际先进水平；获批国家专精特新“小巨人”企业。